Description
-
Тип памяти DDR
-
Форм-фактор SODIMM 200-контактный
-
Тактовая частота 266 МГц
-
Пропускная способность 2100 МБ/с
-
Объем 1 модуль 1 ГБ
-
Поддержка ECC нет
-
Буферизованная (Registered) нет
-
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
-
CAS Latency (CL) 2.5
Дополнительно
-
Напряжение питания 2.5 В
-
Радиатор есть
-
Дополнительная информация Позолоченные контакты.
